推薦產(chǎn)品
聯(lián)系吉致
服務(wù)熱線:
17706168670
17706168670
電話:0510-88794006
手機(jī):17706168670
Email:jzdz@jzdz-wx.com
地址:江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)行創(chuàng)四路19-2
- DNA基因芯片cmp工藝[ 10-11 17:17 ]
- 基因芯片又稱(chēng)DNA芯或DNA微陣列。它是一種同時(shí)將大量的探針?lè)肿庸潭ǖ焦滔嘀С治锷?,借助核酸分子雜交配對(duì)的特性對(duì)DNA樣品的序列信息進(jìn)行高效解讀和分析的技術(shù),主要應(yīng)用在醫(yī)學(xué)領(lǐng)域、生物學(xué)研究領(lǐng)域和農(nóng)業(yè)領(lǐng)域。DNA芯片生產(chǎn)過(guò)程需要經(jīng)過(guò)CMP研磨拋光去除基板水凝膜,達(dá)到理想表面效果。 吉致電子DNA基因芯片slurry,有效去除基底涂覆的軟材料,軟材料包括但不限于聚合物、無(wú)機(jī)水凝膠或有機(jī)聚合物水凝膠等?;蛐酒心ヒ菏褂梦⒚准?jí)磨料制備,粒徑均一穩(wěn)定,有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、軟材質(zhì)水凝
- CMP拋光液---半導(dǎo)體拋光液種類(lèi)有哪些[ 08-09 09:01 ]
- 半導(dǎo)體拋光液種類(lèi)有哪些?CMP拋光液在集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用遠(yuǎn)不止晶圓拋光,半導(dǎo)體使用的CMP制程包括氧化層(Oxide CMP)、多晶硅(Poly CMP)、金屬層(Metal CMP)。就拋光工藝而言,不同制程的產(chǎn)品需要不同的拋光流程,28nm制程需要12~13次CMP,進(jìn)入10nm制程后CMP次數(shù)將翻倍,達(dá)到25~30次。STI CMP Slurry---淺溝槽隔離平坦化 STI淺溝槽隔離技術(shù)是用氧化物隔開(kāi)各個(gè)門(mén)電路,使各門(mén)電路之間互不導(dǎo)通,STI CMP工藝的目標(biāo)是去除填充在淺溝槽中的
- CMP拋光墊的種類(lèi)及特點(diǎn)[ 07-26 16:42 ]
- Cmp拋光墊種類(lèi)可按材質(zhì)結(jié)構(gòu)主要有:聚合物拋光墊、無(wú)紡布拋光墊、帶絨毛結(jié)構(gòu)的無(wú)紡布拋光墊、復(fù)合型拋光墊。①聚合物拋光墊聚合物拋光墊的主要成分是發(fā)泡體固化聚氨酯,聚氨酯拋光墊具有抗撕裂強(qiáng)度高、耐磨性強(qiáng)、耐酸堿腐蝕性優(yōu)異的特點(diǎn),是最常用的拋光墊材料之一。 圖 聚氨酯拋光墊微觀結(jié)構(gòu) 在拋光過(guò)程中,聚氨酯拋光墊表面微孔可以軟化和使拋光墊表面粗糙化,并且能夠?qū)⒛チ项w粒保持在拋光液中,可以實(shí)現(xiàn)高效的平坦化加工。聚氨酯拋光墊表面的溝槽有利于拋光殘?jiān)呐懦?。但聚氨酯拋光墊硬度過(guò)高,拋光過(guò)程中變形小,加工過(guò)程中容
- 吉致電子CMP拋光墊的作用[ 07-18 16:19 ]
- CMP技術(shù)是指被拋光材料在化學(xué)和機(jī)械的共同作用下,工件表面達(dá)到所要求的平整度的一個(gè)工藝過(guò)程。cmp拋光液中的化學(xué)成分與被拋磨工件材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),形成易去除的軟化層,拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對(duì)材料表面進(jìn)行物理機(jī)械拋光將軟化層除去。在CMP制程中,拋光墊的主要作用有:①使拋光液有效均勻分布至整個(gè)加工區(qū)域,且可提供新補(bǔ)充的拋光液進(jìn)行一個(gè)拋光液循環(huán);②從工件拋光表面除去拋光過(guò)程產(chǎn)生的殘留物(如拋光碎屑、拋光碎片等);③傳遞材料去除所需的機(jī)械載荷;④維持拋光過(guò)程所需的機(jī)械和化學(xué)環(huán)境。除拋光墊的力學(xué)性能以外,其表面組織
- SiC碳化硅襯底加工的主要步驟[ 06-21 15:45 ]
- SiC碳化硅襯底加工的主要分為9個(gè)步驟:晶面定向、外圓滾磨、端面磨、線切、倒角、減薄、CMP研磨、CMP拋光以及清洗。1.晶面定向:使用 X 射線衍射法為晶錠定向,當(dāng)一束 X 射線入射到需要定向的晶面后,通過(guò)衍射光束的角度來(lái)確定晶面的晶向。2.外圓滾磨:在石墨坩堝中生長(zhǎng)的單晶的直徑大于標(biāo)準(zhǔn)尺寸,通過(guò)外圓滾磨將直徑減小到標(biāo)準(zhǔn)尺寸。3.端面磨:SiC 襯底一般有兩個(gè)定位邊,主定位邊與副定位邊,通過(guò)端面磨開(kāi)出定位邊。4.線切割:線切割是碳化硅SiC 襯底加工過(guò)程中一道較為重要的工序。線切過(guò)程中造成的裂紋損傷、殘留的亞表面
- 芯片制造為什么使用單晶硅做襯底[ 05-31 17:27 ]
- 芯片制造中為什么都喜歡用單晶硅作為襯底材料呢?那是因?yàn)閱尉Ч杵哂幸韵聝?yōu)點(diǎn):?jiǎn)尉Ч杵前雽?dǎo)體器件制造的基礎(chǔ)材料,應(yīng)用廣泛。計(jì)算機(jī)芯片、智能手機(jī)中的處理器、存儲(chǔ)器.傳感器等都是使用單晶硅片制造的。單晶硅具有顯著的半導(dǎo)體性能:?jiǎn)尉Ч枋且环N半導(dǎo)體材料,具有較弱的導(dǎo)電性。該材料的電導(dǎo)率受光、電、磁、溫度等因素的影響,隨著溫度的升高而增加。超純的單晶硅屬于本征半導(dǎo)體,但在其中摻入亞A族元素,如硼,則可形成p型硅半導(dǎo)體,摻入微量的VA族元素,如磷或砷,則可形成n型硅半導(dǎo)體。通過(guò)擴(kuò)散作用,將p型半導(dǎo)體與n型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)
- 吉致電子--GaN氮化鎵CMP拋光的重要性[ 05-31 17:13 ]
- 氮化鎵(GaN)是一種具有廣泛應(yīng)用前景的半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電子特性和光學(xué)性能。在現(xiàn)代電子設(shè)備中,氮化鎵被廣泛應(yīng)用于 LED 顯示屏、激光器、功率放大器等領(lǐng)域,并且在未來(lái)的 5G 通訊、電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域也具有巨大的發(fā)展?jié)摿?。然而,氮化鎵在制備過(guò)程中容易受到表面缺陷的影響,影響其性能和穩(wěn)定性,所以氮化鎵拋光工藝顯得尤為重要,淺談一下氮化鎵CMP拋光的重要性。 氮化鎵CMP拋光的重要性主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:1,提高器件的光電性能:氮化鎵材料用于制作 LED和LD等光電器件其表面質(zhì)量影響著器件的
- 吉致電子--襯底與晶圓CMP磨拋工藝的區(qū)別[ 05-29 15:44 ]
- 在半導(dǎo)體制造過(guò)程中,襯底和晶圓是兩個(gè)常見(jiàn)的術(shù)語(yǔ)。它們扮演著重要的角色,但在定義、結(jié)構(gòu)和用途上存在一些差異和區(qū)別。 襯底---作為基礎(chǔ)層的材料,承載著芯片和器件。它通常是一個(gè)硅片或其他材料的薄片,作為承載芯片和電子器件的基礎(chǔ)。襯底可以看作是半導(dǎo)體器件的“地基”。襯底的CMP磨拋工藝主要關(guān)注其表面的平整度、清潔度和粗糙度,確保后續(xù)工藝如外延生長(zhǎng)、薄膜沉積等能夠順利進(jìn)行。 晶圓---則是從襯底中切割出來(lái)的圓形硅片,作為半導(dǎo)體芯片的主要基板。晶圓的CMP磨拋工藝
- 吉致電子--單晶硅與多晶硅的區(qū)別[ 05-23 18:01 ]
- 吉致電子粒徑小于100nm的球形氧化鈰拋光液可用于單晶硅片表面CMP及多晶硅CMP。下面簡(jiǎn)單談?wù)剢尉Ч韬投嗑Ч璧膮^(qū)別: 單晶硅和多晶硅是兩種不同的硅材料,它們的主要區(qū)別在于晶體結(jié)構(gòu)、物理性質(zhì)和用途等方面。 ①晶體排列組成不一樣: 單晶硅是由許多晶體周期性排列而成的,其晶體結(jié)構(gòu)具有高度的有序性和一致性,因此其晶體內(nèi)部的原子排列和晶體缺陷都比較少。 多晶硅是由許多小的晶體組成的,每個(gè)小晶體的晶體結(jié)構(gòu)都有一定的差異,因此其晶體內(nèi)部的原子排列和晶體缺陷都比較復(fù)雜。 ②
- SiC碳化硅應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?[ 04-30 18:03 ]
- 碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷兩大類(lèi),無(wú)論是作為單晶還是陶瓷,碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車(chē)、光伏等三大干億賽道的關(guān)鍵材料之一。例如:單晶方面:碳化硅作為目前發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,可謂是近年來(lái)最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能等節(jié)能減碳行業(yè),萬(wàn)眾矚目。陶瓷方面:碳化硅憑借其優(yōu)異的高溫強(qiáng)度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導(dǎo)熱性、耐腐蝕性等性能,近年來(lái)隨著新能源汽車(chē)、半導(dǎo)體、光伏等行業(yè)的起飛而需求爆發(fā),深深地滲入到這些新興領(lǐng)域的
- 半導(dǎo)體襯底和外延的區(qū)別是什么?[ 04-30 16:39 ]
- 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中,特別是第三代半導(dǎo)體(寬禁帶半導(dǎo)體)產(chǎn)業(yè)鏈中,會(huì)有襯底及外延層之分,那外延層的存在有何意義?和襯底的區(qū)別是什么呢? 在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈,晶圓制備過(guò)程中存在兩個(gè)重要環(huán)節(jié):①是襯底的制備,②是外延工藝的實(shí)施。這兩個(gè)環(huán)節(jié)的區(qū)別是怎樣的,存在的意義又有何不同? 襯底由半導(dǎo)體單晶材料精心打造的晶圓片,可以作為基礎(chǔ)直接投入晶圓制造的流程來(lái)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件,或者進(jìn)一步通過(guò)外延工藝來(lái)增強(qiáng)性能
- CMP設(shè)備及耗材對(duì)半導(dǎo)體硅片拋磨有影響嗎?[ 03-20 17:22 ]
- CMP設(shè)備及耗材對(duì)工藝效果影響嗎?答案是:有關(guān)鍵影響。CMP工藝離不開(kāi)設(shè)備機(jī)臺(tái)及耗材,其中耗材包括拋光墊和拋光液。影響CMP效果主要因素如下:①設(shè)備參數(shù):拋光時(shí)間、研磨盤(pán)轉(zhuǎn)速、拋光頭轉(zhuǎn)速、拋光頭搖擺度、背壓、下壓力等;②研磨液參數(shù):磨粒大小、磨粒含量、磨粒凝聚度、酸堿度、氧化劑含量、流量、粘滯 系數(shù)等 ;③拋光墊參數(shù):硬度、密度、空隙大小、彈性等;④CMP對(duì)象薄膜參數(shù):種類(lèi)、厚度、硬度、化學(xué)性質(zhì)、圖案密度等。CMP耗材包括拋光液、拋光墊、鉆石碟、清洗液等,對(duì) CMP 工藝效應(yīng)均有關(guān)鍵影響。1. CMP 拋
- 什么是SIC碳化硅襯底的常規(guī)雙面磨工藝[ 03-07 17:22 ]
- 碳化硅SIC研磨工藝是去除切割過(guò)程中造成碳化硅晶片的表面刀紋以及表面損傷層,修復(fù)切割產(chǎn)生的變形。由于SiC的高硬度的特性,CM{研磨過(guò)程中必須使用高硬度的磨料(如碳化硼或金剛石粉)研磨SiC切片的晶體表面。碳化硅襯底常規(guī)的CMP研磨工藝一般分為粗磨和精磨。SiC襯底常規(guī)雙面磨工藝雙面磨工藝又稱(chēng)DMP工藝,是目前大部分國(guó)內(nèi)碳化硅襯底廠商規(guī)?;a(chǎn)的工藝方案,對(duì)碳化硅進(jìn)行雙面研磨(粗磨/精磨)達(dá)到一定的表面平整度和光潔度。①粗磨:采用鑄鐵盤(pán)+單晶金剛石研磨液雙面研磨的方式該工藝可以有效的去除線割產(chǎn)生的損傷層,修復(fù)面型,
- CMP制程中拋光墊的作用有哪些?[ 02-21 16:15 ]
- CMP技術(shù)是使被拋光材料在化學(xué)和機(jī)械的共同作用下,材料表面達(dá)到所要求的平整度的一個(gè)工藝過(guò)程。拋光液中的化學(xué)成分與材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),形成易拋光的軟化層,拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對(duì)材料表面進(jìn)行物理機(jī)械拋光將軟化層除去。 在CMP制程中,拋光墊的主要作用有:①傳遞材料去除所需的機(jī)械載荷;②從工件拋光表面除去拋光過(guò)程產(chǎn)生的殘留物(如工件碎屑、拋光碎片等);③使拋光液有效均勻分布至整個(gè)加工區(qū)域,且可提供新補(bǔ)充的拋光液進(jìn)行一個(gè)拋光液循環(huán);④維持拋光過(guò)程所需的機(jī)械和化學(xué)環(huán)境。除拋光墊的力
- CMP化學(xué)機(jī)械拋光在半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要作用[ 12-21 11:53 ]
- 化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是半導(dǎo)體晶圓制造的關(guān)鍵步驟,這項(xiàng)工藝能有效減少和降低晶圓表面的不平整,達(dá)到半導(dǎo)體加工所需的高精度平面要求。拋光液(slurry)、拋光墊(pad)是CMP技術(shù)的關(guān)鍵耗材,分別占CMP耗材49%和33%的價(jià)值量,CMP耗材品質(zhì)直接影響拋光效果,對(duì)提高晶圓制造質(zhì)量至關(guān)重要。 CMP拋光液/墊技術(shù)壁壘較高,高品質(zhì)的拋光液需要綜合控制磨料硬度、粒徑、形狀、各成分質(zhì)量濃度等要素。拋光墊則更加看重低缺陷率和長(zhǎng)使用壽命。配置多功能,高效率的拋光液是提升CMP效果的重要環(huán)節(jié)。&nbs
- 第三代半導(dǎo)體--碳化硅和氮化鎵的區(qū)別[ 11-03 17:35 ]
- 隨著國(guó)家對(duì)第三代半導(dǎo)體材料的重視,近年來(lái)我國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)發(fā)展迅猛,其中以碳化硅SiC與氮化鎵NaG為主的材料備受關(guān)注,兩者經(jīng)常被拿來(lái)比較。 同為寬近帶半導(dǎo)體的成員,碳化硅SiC與氮化鎵NaG有何相同、有何不同呢?碳化硅與氮化家均屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料,它們具有禁代寬度大、電子漂移飽和速度高、介電常數(shù)小、導(dǎo)電性能好的特點(diǎn)。 隨著市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體器件微型化、導(dǎo)熱性的高要求,這類(lèi)材料的市場(chǎng)需求暴漲,適用于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。 ①性能不同:高電子遷移
- 藍(lán)寶石襯底拋光液--納米氧化鋁拋光液/研磨液[ 10-31 16:46 ]
- 氧化鋁拋光液在LED行業(yè)的應(yīng)用廣泛,如藍(lán)寶石襯底的CMP拋光,為避免大粒徑磨料對(duì)工件造成劃傷,通常選用粒徑為50∼200nm,且粒徑分布均勻的納米α-Al2O3磨料。為了確保藍(lán)寶石襯底能拋出均勻的鏡面光澤,需要提升CMP拋光液的切削速率及平坦化效果,吉致電子科技生產(chǎn)的氧化鋁拋光液/研磨液可專(zhuān)業(yè)用于藍(lán)寶石拋光,氧化鋁磨料具有分布窄,粒徑小,硬度高、尺寸穩(wěn)定性好,α相轉(zhuǎn)晶完全,團(tuán)聚小易分散等特點(diǎn)。 吉致電子對(duì)α-Al2O3顆粒的Zeta電位,以及拋光液添加穩(wěn)定劑、分散劑的種類(lèi)和質(zhì)量都有
- 半導(dǎo)體拋光中銅拋光液和鎢拋光液的區(qū)別[ 08-18 16:58 ]
- 常用的半導(dǎo)體拋光液,按拋光對(duì)象的不同分W鎢拋光液、CU銅拋光液、氧化層拋光液、STI拋光液等。其中銅拋光液slurry主要應(yīng)用于 130nm 及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)邏輯芯片的制造工藝,而鎢拋光液W slurry則大量應(yīng)用于存儲(chǔ)芯片制造工藝,在邏輯芯片中用量較少。 銅拋光液,主要由腐蝕劑、成膜劑和納米磨料組成。腐蝕劑用來(lái)腐蝕溶解銅表面,成膜劑用于形成銅表面的鈍化膜,鈍化膜的形成可以保護(hù)腐蝕劑的進(jìn)一步腐蝕,并可有效地降低金屬表面硬度。除此之外,CMP拋光液中經(jīng)常添加一些化學(xué)試劑以調(diào)節(jié)PH值,為拋光過(guò)程
- 打磨碳化硅需要哪種拋光墊?[ 08-17 16:41 ]
- 打磨碳化硅需要哪種拋光墊? 打磨碳化硅襯底分研磨和拋光4道工序:粗磨、精磨、粗拋、精拋。拋光墊的選擇根據(jù)CMP工藝制程的不同搭配不同的研磨墊:粗磨墊/精磨墊/粗拋墊/精拋墊 吉致電子CMP拋光墊滿足低、中及高硬度材料拋光需求,具有高移除率、高平坦性、低缺陷和高性價(jià)比等優(yōu)勢(shì)。結(jié)合硬質(zhì)和軟質(zhì)研磨拋光墊的優(yōu)點(diǎn),可兼顧工件的平坦度與均勻度碳化硅研磨選擇吉致無(wú)紡布復(fù)合拋光墊,提供更快磨合的全局平坦性,提升碳化硅晶圓制程的穩(wěn)定性與尺寸精密度。 壓紋和開(kāi)槽工藝,讓PAD可保持拋光
- 二氧化硅拋光液與硅溶膠拋光液有啥不同[ 08-11 16:04 ]
- 二氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料,經(jīng)特殊工藝制備成的一種低金屬離子高純度CMP拋光產(chǎn)品。 硅溶膠拋光液是以液體形式存在,直徑為10-150nm的二氧化硅粒子(分散相)在水或有機(jī)液體(分散介質(zhì))里的分散體系,粒子的形貌多為球形,適用于各類(lèi)工件的鏡面拋光,如金屬、藍(lán)寶石襯底、半導(dǎo)體、光學(xué)玻璃、精密電子元器件等的鏡面拋光。 本質(zhì)上講二氧化硅拋光液、硅溶膠拋光液都是一種東西,主要成分都是SiO2只是叫法不同。在CMP研磨拋光工藝中,機(jī)器通過(guò)壓力泵把氧化硅拋光液輸送到拋光槽內(nèi)進(jìn)行循環(huán)使用,