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納米拋光液---吉致電子氧化硅slurry的應(yīng)用及特點(diǎn)
吉致電子納米級(jí)氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料,經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型CMP拋光產(chǎn)品。粒度均一的SiO2磨料顆粒在CMP研磨過(guò)程中分散均勻,能達(dá)到快速拋光的目的且不會(huì)對(duì)加工件造成物理?yè)p傷。納米級(jí)硅溶膠拋光液不易腐蝕設(shè)備,提高了使用的安全性。制備工藝和配方有效提高了平坦化加工速率,快速降低表面粗糙度,且工件表面劃傷少。 吉致電子氧化硅slurry粒徑分布可控,根據(jù)不同的拋光需求,生產(chǎn)出不同粒徑大小的納米氧化硅拋光液,粒徑范圍通常在 5-100nm 之間。以氧化硅為磨料的納米拋
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襯底與晶圓材料的選擇與特性
襯底材料半導(dǎo)體襯底材料的選擇對(duì)器件性能有重大影響。常見(jiàn)的襯底材料包括硅、砷化鎵、碳化硅等。硅襯底:硅SI是最常見(jiàn)的襯底材料,因其優(yōu)良的電學(xué)、熱學(xué)和機(jī)械特性廣泛應(yīng)用于集成電路和微電子器件。硅襯底具有成本低、加工成熟、易于大規(guī)模生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。砷化鎵襯底:砷化鎵GaAs具有高電子遷移率和良好的光電特性,常用于高頻器件和光電器件。雖然成本較高,但在特定領(lǐng)域有無(wú)可替代的優(yōu)勢(shì)。碳化硅襯底:碳化硅SIC具有高硬度、高熱導(dǎo)率和高溫穩(wěn)定性,適用于高溫、高功率和高頻應(yīng)用。碳化硅襯底的加工難度較大,但其優(yōu)異的性能使其在特定領(lǐng)域有著重要應(yīng)用
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吉致電子 Cu CMP研磨工藝的三個(gè)步驟
Cu CMP研磨工藝通常包括三步。第一步:用來(lái)磨掉晶圓表面的大部分金屬。第二步:通過(guò)降低研磨速率的方法精磨與阻擋層接觸的金屬,并通過(guò)終點(diǎn)偵測(cè)技術(shù)(Endpoint)使研磨停在阻擋層上。第三步:磨掉阻擋層以及少量的介質(zhì)氧化物,并用大量的去離子水(DIW)清洗研磨墊和晶圓。Cu CMP研磨工藝中第一和第二步的研磨液通常是酸性的,使之對(duì)阻擋層和介質(zhì)層具有高的選擇性,而第三步的研磨液通常是偏堿性,對(duì)不同材料具有不同的選擇性。這兩種研磨液(金屬研磨液/介質(zhì)研磨液)都應(yīng)該含有H2O2、抗腐蝕的BTA(三唑甲基苯)以及其他添加物
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半導(dǎo)體晶圓常見(jiàn)材質(zhì)有哪些
半導(dǎo)體晶圓常見(jiàn)材質(zhì)有哪些?晶圓常見(jiàn)的材質(zhì)包括硅、藍(lán)寶石、氮化硅等。一、硅晶圓硅是目前制造半導(dǎo)體器件的主要材料,因其易加工、價(jià)格較低等優(yōu)良性能被廣泛采用。硅晶圓表面光潔度高,可重復(fù)性好,在光電子技術(shù)、光學(xué)等領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用。其制造過(guò)程主要包括單晶生長(zhǎng)、切片和拋光等工序。二、藍(lán)寶石晶圓藍(lán)寶石(sapphire)是一種高硬度透明晶體,其晶格結(jié)構(gòu)與GaAs、Al2O3等半導(dǎo)體材料相近,尤其因其較大的帶隙(3.2eV)在制造高亮度LED、激光器等器件中得到廣泛應(yīng)用。此外,藍(lán)寶石的高強(qiáng)度、高抗腐蝕性也使其成為防護(hù)材料,如用于
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襯底與晶圓在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用
襯底和晶圓是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的兩個(gè)重要概念。襯底是作為基礎(chǔ)層的材料,承載著芯片和器件;而晶圓則是從襯底中切割出來(lái)的圓形硅片,作為半導(dǎo)體芯片的主要基板。襯底通常是硅片或其他材料的薄片,而晶圓則是襯底的一部分,具有特定的尺寸和方向。襯底用于承載和沉積薄膜,而晶圓用于生長(zhǎng)材料、制造芯片和執(zhí)行光刻等工藝步驟。 襯底的應(yīng)用:承載半導(dǎo)體芯片:襯底是半導(dǎo)體芯片的基礎(chǔ),提供穩(wěn)定的平臺(tái)來(lái)構(gòu)建電子器件和集成電路?;A(chǔ)層的沉積:在制造過(guò)程中,襯底上可能需要進(jìn)行一系列的薄膜沉積,如氧化物、金屬等。這些薄膜可以提供保
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金屬互連中的大馬士革工藝
在半導(dǎo)體制程中為了連接不同的電路元件,傳遞電子信號(hào)和為電路元件供電,需要使用導(dǎo)電金屬來(lái)形成互連結(jié)構(gòu)。鋁曾經(jīng)是半導(dǎo)體行業(yè)中用于這些互聯(lián)結(jié)構(gòu)的主要材料。然而,隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步和特征尺寸的不斷縮小,銅成為了替代選擇,那么這個(gè)過(guò)程是如何演變的呢? 金屬互連工藝歷史:早期的集成電路使用了金作為互連材料,到60-90年代中期,鋁逐漸成為集成電路制造中最主要的互連導(dǎo)線材料。1997年,美國(guó) IBM 公司公布了先進(jìn)的銅互連技術(shù),標(biāo)志著銅正式開(kāi)始替代鋁成為高性能集成電路的主要互連材料。 
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藍(lán)寶石激光領(lǐng)域視窗拋光液
藍(lán)寶石激光領(lǐng)域視窗具有 Mohs 9硬度、平整度到<1/20λ,表面粗糙度0.3nm。按照尺寸從0.5英寸 到30英寸和不同壁厚度的規(guī)格制造,包括階梯邊緣、橢圓形邊緣望造、孔、槽和楔角。 藍(lán)寶激光領(lǐng)域視窗對(duì)快速移動(dòng)的沙子、鹽水和其他顆粒物具有抵抗力,非常適合所有類(lèi)型的激光武器系統(tǒng)、大功率微波和其他需要極其平坦和堅(jiān)固的光學(xué)技術(shù)的應(yīng)用。 吉致電子藍(lán)寶石激光領(lǐng)域視窗拋光液,具有良好的穩(wěn)定性,提高藍(lán)寶石視窗片拋光速率的同時(shí)保證藍(lán)寶石表面光滑、無(wú)缺陷的全局平坦化質(zhì)量。無(wú)錫吉致電子科
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半導(dǎo)體晶圓CMP化學(xué)機(jī)械研磨拋光的原因
什么是CMP化學(xué)機(jī)械研磨拋光?CMP(Chemical Mechanical Polishing)其實(shí)為化學(xué)與機(jī)械研磨(C&MP)的意思,化學(xué)作用與機(jī)械作用平等。目前CMP已成為半導(dǎo)體制程主流,其重要的原因主要有二:①為了縮小芯片面積,因此采用集成度高、細(xì)線化的多層金屬互連線(七層以上),因線寬極細(xì),且需多層堆疊,故光刻制程即為一關(guān)鍵步驟。若晶圓表面凹凸不平,平坦度差,則會(huì)影響光刻精確度,因此需以CMP達(dá)成晶圓上金屬層間之全面平坦化(Global Planarization)。②為了降低元件之電
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LT鉭酸鋰晶片的CMP拋光液
鉭酸鋰LiTaO3作為非線性光學(xué)晶體、電光晶體、壓電晶體、聲光晶體和雙折射晶體等在現(xiàn)今以光技術(shù)產(chǎn)業(yè)為中心的IT 產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。 晶體材料的結(jié)構(gòu)與其光學(xué)性能息息相關(guān),鉭酸鋰LT晶體是一種優(yōu)良的多功能材料,具有很高的應(yīng)用價(jià)值。LiTaO3晶體以它的化學(xué)性能穩(wěn)定高(不溶與水),居里點(diǎn)高于600℃,不易出現(xiàn)退極化現(xiàn)象,介電損耗低,探測(cè)率優(yōu)值高的優(yōu)良特性,成為熱釋電紅外探測(cè)器的應(yīng)用材料。 經(jīng)過(guò)CMP拋光的LT晶片廣泛用于諧振器、濾波器、換能器等電子通訊器件的制造,尤其以它良好的機(jī)電耦合、溫度系數(shù)等綜合性
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看懂SIC碳化硅襯底研磨加工技術(shù)
碳化硅SiC襯底因其脆硬性特性再疊加大尺寸化、超薄化的放大效應(yīng),給現(xiàn)有的加工技術(shù)帶來(lái)了巨大的挑戰(zhàn),被視為典型難加工材料。高效率、高質(zhì)量的碳化硅襯底加工技術(shù)成了當(dāng)下的研究熱點(diǎn)。 碳化硅相較于第一、二代半導(dǎo)體材料具有更優(yōu)良的熱學(xué)、電學(xué)性能,如寬禁帶、高導(dǎo)熱、高溫度穩(wěn)定 性和低介電常數(shù)等,這些優(yōu)勢(shì)使得以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料廣泛應(yīng)用于高溫、高頻、高功率 以及抗輻射等極端工況.作為高性能微電子和光 電子器件制造的襯底基片,碳化硅襯底加工后的表面、亞表面質(zhì)量對(duì)器件的使用性能有著極為重要的影響。因
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碳化硅襯底平坦化使用的是什么工藝?
碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。 第三代半導(dǎo)體,由于在物理結(jié)構(gòu)上具有能級(jí)禁帶寬的特點(diǎn),又稱(chēng)為寬禁帶半導(dǎo)體,主要是以氮化鎵和碳化硅為代表,其在半導(dǎo)體性能特征上與第一代的硅、第二代的砷化鎵有所區(qū)別,使得其能夠具備高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子飽和漂移速率等優(yōu)勢(shì),從而能夠開(kāi)發(fā)出更適應(yīng)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的小型化功率半導(dǎo)體器件,可有效突破傳統(tǒng)硅基功率半導(dǎo)體器件及其材料的物理極限。 化學(xué)
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碳化硅SIC襯底的加工難度有哪些?
襯底是所有半導(dǎo)體芯片的底層材料,起到物理支撐、導(dǎo)熱、導(dǎo)電等作用。有數(shù)據(jù)顯示,襯底成本大約占晶圓加工總成本的50%,外延片占25%,器件晶圓制造環(huán)節(jié)20%,封裝測(cè)試環(huán)節(jié)5%。 SiC碳化硅襯底不止貴生產(chǎn)工藝還復(fù)雜,與Si硅片相比,SiC很難處理。SiC單晶襯底加工過(guò)程包括單晶多線切割、研磨、拋光、清洗最終得到滿足外延生長(zhǎng)的襯底片。碳化硅是世界上硬度排名第三的物質(zhì),不僅具有高硬度的特點(diǎn),高脆性、低斷裂韌性也使得其磨削加工過(guò)程中易引起材料的脆性斷裂從而在材料表面留下表面破碎層,且產(chǎn)生較為嚴(yán)重的表
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氮化鋁/氮化硅(AlN/SiN)陶瓷基板的研磨拋光
氮化鋁/氮化硅(AlN/SiN)陶瓷基板的研磨拋光,需要用粗拋和精拋兩道工藝。粗拋液用來(lái)研磨快速去除表面缺陷和不良,精細(xì)拋光液用來(lái)平坦工件表面提升精度。吉致電子陶瓷專(zhuān)用研磨液/拋光液能減少研磨時(shí)間,同時(shí)提高陶瓷工件拋光的質(zhì)量,幫助客戶縮短工時(shí)提高工作效率。 陶瓷基板的研磨過(guò)程一般包括雙面研磨(35-60分鐘)和精細(xì)拋光(120分鐘)。在不到2.5小時(shí)的時(shí)間里,得到10-15納米的Ra。 氮化鋁/氮化硅散熱襯底拋光方案:①雙面研磨(35-60分鐘)搭配吉致電子類(lèi)多晶研磨液 ②超精細(xì)拋
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吉致電子1um/3um/6um/7μm/9μm金剛石拋光液和研磨液
吉致電子金剛石拋光液/研磨液包括單晶拋光液、多晶拋光液和類(lèi)多晶拋光液。金剛石研磨液分為水基和油基兩類(lèi)。 吉致電子1um/3um/6um/7μm/9μm金剛石拋光液金剛石拋光液濃度高,金剛石粒徑均勻,懸浮液分散充分。其特點(diǎn)是不結(jié)晶、不團(tuán)聚,磨削力強(qiáng),拋光效果好??梢詽M足高硬度材料、精密的微小元器件、高質(zhì)量表面要求的材料拋光需求。 金剛石拋光液采用優(yōu)質(zhì)金剛石微粉,結(jié)合吉致專(zhuān)利配方工藝,調(diào)配的CMP專(zhuān)用拋光液可最大限度的提高切削力和拋光效率。在實(shí)際使用中工件研磨速率穩(wěn)定,材料去除率高
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吉致電子榮獲第四屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國(guó)際會(huì)議“優(yōu)秀組織獎(jiǎng)”
2023年11月8日-10日第四屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國(guó)際會(huì)議(APCSCRM 2023)在北京圓滿落幕。本次會(huì)議聚焦寬禁帶半導(dǎo)體相關(guān)材料及器件多學(xué)科主題,邀請(qǐng)全球60余位知名專(zhuān)家學(xué)者、龍頭企業(yè)、資本機(jī)構(gòu)蒞臨會(huì)議現(xiàn)場(chǎng),通過(guò)大會(huì)報(bào)告、專(zhuān)場(chǎng)報(bào)告、高峰論壇、口頭報(bào)告、項(xiàng)目路演和墻報(bào)等形式,分享全球?qū)捊麕О雽?dǎo)體技術(shù)最新研究進(jìn)展,交換產(chǎn)業(yè)前瞻性觀點(diǎn),展示企業(yè)先進(jìn)成果,促進(jìn)行業(yè)互聯(lián)互通。 吉致電子科技有限公司出席了此次會(huì)議,并在會(huì)議期間設(shè)有展臺(tái)。吉致電子的代表們與全球各地的專(zhuān)家
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吉致電子科技碳化硅研磨液的作用
碳化硅研磨液的作用是去除切割過(guò)程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面損傷層。由于SiC的高硬度,研磨過(guò)程中必須使用高硬度的磨料(如碳化硼或金剛石粉)研磨SiC切片的晶體表面。研磨根據(jù)粗磨和精磨工藝的不同分別使用粗磨液、精磨液。 SiC粗磨液主要是去除切割造成的刀痕以及切割引起的變質(zhì)層,研磨液中會(huì)使用粒徑較大的磨粒,以提高加工效率。碳化硅晶圓精磨液主要是去除粗磨留下的表面損傷層,改善表面光潔度,并控制表面面形和晶片的厚度,利于后續(xù)的精細(xì)拋光,因此使用粒徑較細(xì)的磨粒研磨晶片。 為獲
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吉致電子手機(jī)中框拋光液及智能穿戴設(shè)備表面處理
手機(jī)中框、智能穿戴設(shè)備表面處理,有拋光、噴砂等工藝。吉致電子3C產(chǎn)品專(zhuān)用拋光液及拋光耗材,速率快效果好。手機(jī)中框?qū)τ阽R面拋光要求非常高,需要達(dá)到鏡面效果,鈦合金相比其他鋁合金、不銹鋼等金屬是相對(duì)較硬的材質(zhì)手機(jī)中框鏡面拋光可以用氧化鋁拋光液搭配拋光皮達(dá)到一個(gè)高亮面的效果,其效果可達(dá)到:1.懸浮性好,不易沉淀;2.顆粒分散均勻,不團(tuán)聚,軟硬度適中,有效避免拋光過(guò)程中由于顆粒團(tuán)聚導(dǎo)致 的工件表面劃傷缺陷。3.運(yùn)用拋光過(guò)程中的化學(xué)新作用,提高拋光速度,改善拋光表面的質(zhì)量。4.分散性好、乳液均一,程度提升拋光速率的同時(shí)降低微
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藍(lán)寶石襯底研磨用什么拋光液
CMP工藝怎么研磨藍(lán)寶石襯底?需要搭配什么拋光液?藍(lán)寶石拋光萬(wàn)能公式:粗拋、中拋、精拋,每道工序使用不同磨料的拋光液和拋光PAD:①藍(lán)寶石CMP粗磨:藍(lán)寶石襯底粗磨可以選擇硬度高切削力強(qiáng)的吉致金剛石研磨液,搭配金剛石磨盤(pán),速率高效果好可有效去除藍(lán)寶石表面的不平和劃痕。②藍(lán)寶石CMP中拋:這一步可以用銅盤(pán)+小粒徑的金剛石研磨液,用來(lái)去除粗拋留下的紋路,為鏡面拋光做前期準(zhǔn)備。③藍(lán)寶石CMP精拋:CMP精拋是藍(lán)寶石襯底最后一道工序,需要用到拋光墊+納米氧化硅拋光液來(lái)收光,呈現(xiàn)平坦無(wú)暇的鏡面效果。
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半導(dǎo)體先進(jìn)制程PAD拋光墊國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)行中
國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造的崛起加速推動(dòng)了半導(dǎo)體材料的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。在政策、資金以及市場(chǎng)需求的帶動(dòng)下,我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展,帶動(dòng)上游材料需求增長(zhǎng)。先進(jìn)制程CMP拋光液及CMP拋光墊用量大增,國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)行中。 CMP拋光墊(CMP PAD)一般分為聚氨酯拋光墊、無(wú)紡布拋光墊、阻尼布拋光墊等,高精密研磨拋光墊應(yīng)用于半導(dǎo)體制作、平面顯示器、玻璃光學(xué)、各類(lèi)晶圓襯底、高精密金屬已經(jīng)硬盤(pán)基板等產(chǎn)業(yè),目前主要型號(hào)有 IC1000、IC1400、IC2000、SUBA等,其中IC1000和SUBA是用得最廣的。&n
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CMP在半導(dǎo)體晶圓制程中的作用
化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是實(shí)現(xiàn)晶圓全局平坦化的關(guān)鍵工藝,通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同配合作用,利用CMP拋光液、拋光機(jī)和拋光墊等CMP拋光研磨耗材實(shí)現(xiàn)晶圓表面多余材料的去除與納米級(jí)全局平坦化。簡(jiǎn)單來(lái)講,半導(dǎo)體晶圓制程可分為前道和后道 2 個(gè)環(huán)節(jié)。前道指晶圓的加工制造,后道工藝是芯片的封裝測(cè)試。 前道加工領(lǐng)域CMP主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。后道封裝領(lǐng)域CMP 工藝用于先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)的拋光。 晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括 7 個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程:光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、擴(kuò)散、離子注
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